Toshiba Corporation обяви създаването на флаш памет BICS FLASH с възможност за съхраняване на четири бита на клетка (QLC), поради което е възможно да се увеличи размерът на паметта в сравнение с TLC NAND.

Новата 3D QLC NAND памет пристига с 64-клетъчни слоя и капацитет от 768 Gb или 96 GB. Доставките за производители на SSD памет и контролери за SSD вече са започнали. Ако се съберат 16 такива QLC 3D NAND чипа в един корпус, крайното устройство ще може да побере до 1.5 TB памет.

Toshiba обещава да покаже прототипи на събитието Flash Memory Summit, което ще се проведе от 7 до 10 август в Санта Клара.