Samsung започва масово производство на първата в света DRAM памет, създадена по 10 nm процес

Динамичната RAM памет на Samsung, или DRAM, определено извървя дълъг път. През 2010 година компанията произвеждаше DDR3 чипове по 40-нанометровата технология, а през 2014 г. тя скочи до нов, 20-нанометров процес за DDR3 DRAM. Сега, две години по-късно, корейският OEM производител обяви началото на масовото производство на първата в света DDR4 DRAM памет, която използва най-новия процес на производство по 10-нанометровата технология, проправяйки пътя за по-бърза и по-ефективна памет за задвижване на следващото поколение компютри.

10-нанометровият процес обещава по-бързи скорости при трансфер на данни с по-малко консумация на енергия. По-конкретно 10 nm DDR4 чип ще предлага скорост на пренос на данни от 3200 Mbps, с 30 процента по-бързо от 2400 Mbps при 20 nm DDR4. В същото време новият чип ще консумира 10 до 20 процента по-малко енергия, отколкото еквивалентът, създаден по 20 nm процес.

Samsung разбираемо се гордеят от патентованата си нова технология. 10 nm за DRAM е нещо ново и много трудно за постигне в сравнение с NAND флаш паметта, която се използва в SSD дисковете и картите памет. Докато NAND използва само един транзистор на клетка, DRAM трябва да побере един транзистор и един кондензатор в същото пространство, като кондензаторът обикновено е отгоре. Умножете това по 8 милиона клетки в този конкретен чип и имате един голям производствен пъзел, който трябва да разрешите.

Новият 10 nm DDR4 чип на Samsung е с капацитет от 8 гигабита (Gb), не гигабайта (GB). Това означава, че един чип може да побере 1 GB памет. Тези чипове обикновено са комбинирани в DD4 модули с 4 GB или 128 GB за персонални компютри и сървъри.

Samsung определено няма да спре дотук. Използвайки поуките, извлечени от нейните DRAM чипове, компанията ще продължи да произвежда 10 nm мобилни DRAM еквиваленти за смартфони. Това ще доведе до нов набор от пъзели, като се имат предвид по-големите ограничения в мястото за поставяне и мощността, която изисква мобилната памет.

Може би следващият Samsung Galaxy Note (2017 г.) ще дойде именно с новото поколение мобилна DRAM памет.

Прочетете и това: Samsung ще започне масовото производство на сгъваеми дисплеи още тази година