Каналът HOMOLAB в платформата Bilibili подложи iPhone 18 Pro Max с 1 TB памет на тестове за производителност в реални условия; резултатите показват, че скоростта на флаш паметта може драстично да спадне при интензивно натоварване, особено когато мястото за съхранение започне да се запълва.

Повечето съвременни телефони използват TLC (triple-level cell) флаш памет, която съхранява по 3 бита данни във всяка клетка и – след въвеждането на 3D NAND технологията – осигурява добър баланс между скорост, капацитет и издръжливост. За разлика от тях, iPhone 18 Pro Max с 1 TB памет използва QLC (quad-level cell) технология, която побира 4 бита в клетка. Това позволява по-голям капацитет при същия физически размер на чипа, но изисква всяка клетка да разпознава повече възможни състояния, което обикновено прави QLC паметта по-бавна и по-малко издръжлива от TLC.

HOMOLAB подкрепи тези изводи чрез директно сравнение с iPhone 18 Pro с 512 GB TLC памет. При тестовете за четене на 4K данни резултатите на двете устройства бяха близки: 46 045 точки за модела с QLC срещу 51 282 за този с TLC. Разликата се увеличи при смесени натоварвания (четене и запис), където моделът с TLC водеше с около 38% при ниска дълбочина на опашката от заявки (11 285 срещу 8 168), като разликата намаля до около 12% при по-тежки и интензивни натоварвания (35 992 срещу 32 219).

Подобно на повечето съвременни телефони, iPhone 18 Pro Max използва малък и бърз SLC (single-level cell) кеш за поемане на кратки, интензивни потоци от данни, като достига скорости над 3000 MB/s, докато в кеша има свободно място. След изчерпването му телефонът преминава към вторичен буфер, който симулира работата на TLC памет и остава по-бърз от чистата QLC памет – със средна скорост от 578 MB/s, макар и със значителни колебания. Едва след като и този вторичен буфер се запълни, телефонът записва данни директно върху QLC паметта; там измерванията на HOMOLAB показват спад на постоянната скорост до средно едва 79,4 MB/s, като в най-ниските си стойности тя пада до 25,6 MB/s – резултат, по-лош от този на много бюджетни microSD карти.

Ситуацията се влошава с напълването на паметта. При запълване на 60% от капацитета, намаленото свободно пространство оставя по-малко място за бързия кеш, като наличният SLC кеш спада рязко от около 250 GB при празен диск до едва 58 GB. Скоростта на буфера, симулиращ TLC работа, също намалява – средно до 396 MB/s спрямо 578 MB/s при празна памет – а етапът на директен запис (write-back) към QLC клетките се забавя още повече, достигайки средно 45 MB/s и спадайки до едва 1,1 MB/s в най-ниската си точка; това е значително по-слаб резултат в сравнение с конкурентните UFS 4.0 памети, базирани на TLC технология, в други флагмански смартфони при подобни тежки натоварвания.

Що се отнася до цената, вариантът с 1 TB памет е свързан с една от най-високите надценки в бранша, въпреки че използва тип памет, който по принцип се счита за по-нисък клас спрямо този в конфигурациите с по-малък капацитет.

При повечето ежедневни задачи – като писане на съобщения, сърфиране в интернет и любителско снимане – това вероятно няма да се усети, тъй като кешът се справя добре с типичните пикови натоварвания. Проблемът става осезаем при продължителни операции с интензивен запис на данни, като например заснемане на дълги 4K или ProRes видеоклипове, прехвърляне на големи файлове или възстановяване на резервни копия. А именно това са сценариите на употреба, с които купувачите на модела с голям капацитет най-често ще се сблъскват.

Снимка: Unsplash/HOMOLAB

Виж още: Тези странни нови уебсайтове са създадени специално за да стимулират допамина в мозъка ви