Производителят на памети Micron представи най-новата си разработка в областта на DRAM паметта по време на конференция в университета Станфорд. Компанията показа ултрабърза памет, която носи името HMC (Hybrid Memory Cube ) DRAM. Новият тип памет може да достигне скорост 128 Gbps.

 

Това на практика е цели десет пъти по-бързо от най-бързата DDR3 памет в момента. Компанията коментира, че новият тип памет може без проблем да работи и при скорост 160 Gbps. Сред другите предимства на новото поколение HMC DRAM е по-малкият й размер и изключително ниският разход на енергия.

Тагове: