Samsung постоянно усъвършенства своите полупроводникови изделия - от процесори до NAND памети, - а сега и енергонезависимата си памет, за да компенсира разочароващите продажби на смартфони.
Докато цифрите и имената могат да са малко объркващи, заради това как са пуснати на пазара, новата 12 Gigabit (не Gigabyte) LPDDR4 RAM памет е още едно забележително постижение.
От Samsung са успели да поберат повече памет в чип, създаден по 20-нанометровата технология. Така бъдещите смартфони и таблети на компанията могат да дойдат с 6 GB оперативна памет.
Предишният 20nm производствен процес на Samsung даваше само 8 Gigabit LPDDR4 RAM чипове, което означава 1 GB. Тези чипове с 1GB се обединяваха в конфигурации до получаване на 2 до 4 GB RAM. Постижението на Samsung е, че с 20nm процес могат да се произвеждат единични 12 Gibagit чипове памет.
От Samsung деликатно намекнаха, че следващите поколения флагмани наистина биха поддържали 6 GB RAM. Все пак ще се наложи да изчакаме малко, може би до следващия Galaxy Note.
Прочетете още: Samsung съкращава 10% от служителите си?
Още по темата
Коментари (0)
Още от HiEnd
Препоръчано
Може Да Харесате
Избрано от редактора
Селекция от статии и ревюта от редакторите на HiComm
