Samsung започва масово производство на ново поколение DRAM памет, базирана на HBM2

Samsung започна да произвежда ново поколение DRAM памет, базирана на High Bandwidth Memory (HBM2) интерфейса от второ поколение. Тя ще влезе в употреба при високопроизводителни компютърни системи, мрежови системи и сървъри от висок клас. HBM2 интерфейсът ще предложи над седем пъти по-висока скорост спрямо сегашното поколение DRAM памет. Това ще позволи по-бърза работа при графичен рендеринг и паралелни изчисления.

Новата 4GB HBM2 DRAM памет отговаря на нуждите от висока производителност, ефективност, надеждност и компактност. Тя използва 20-нанометровия производствен процес на Samsung. Това прави HBM2 подходящ за следващото поколение високопроизводителни компютърни системи и графични карти.

„С масовото производство на следващото поколение HBM2 DRAM памет ние можем да допринесем за по-бързото въвеждане на следващото поколение високопроизводителни компютърни системи от глобалните IT компании“, каза Сеуон Чун, старши вицепрезидент, Memory Marketing, Samsung Electronics. „Чрез употребата на нашата 3D технология на паметта ние можем да се справим с разнообразните нужди на глобалните IT компании, докато в същото време поставяме основите на един по-бързо растящ пазар на DRAM памет.“

Новият HBM2 DRAM e последното постижение при развитието на TSV (Through Silicon Via) DRAM технологията. Модулът 4GB HBM2 е създаден, като е използван буферен чип и четири 8-гигабайтови (GB) ядра. Те са обединени в един пакет (монтирани еднo върху другo) и свързвани със силициевата подложка посредством TSV (Trough Silicon Vias) и microbumps. По този начин един 8Gb HBM2 чип съдържа повече от 5000 TSV дупки върху печатната платка, което е 36 пъти повече спрямо 8Gb TSV DDR4 модулите и представлява драстично подобрение при предаването на данни спрямо традиционните модули.

HBM2 предлага интервал от честоти от 256GBps, който е почти два пъти повече спрямо този от HBM1 DRAM модулите. Това е повече от седем пъти по-голям интервал от честоти, в сравнение с 36GBps на 4Gb GDDR5 DRAM, който предлага най-бързата скорост на трансфер на данни на един пин (9Gbps) сред наличните в момента на пазара DRAM модули. Samsung 4GB HBM2 предлага и подобрена енергийна ефективност, като удвоява интервала от честоти на един ват в сравнение с 4Gb-GDDR5 решенията. Модулът използва и хардуерна корекция на грешките (ECC) за по-голяма надеждност.

Но добрите новини не спират дотук, защото Samsung планира да пусне на пазара и 8GB HBM2 DRAM модул в рамките на една година. Използвайки 8GB HBM2 DRAM във видеокарта, дизайнерите ще могат да се наслаждават на 95 процента по-голямо пространство спрямо GDDR5 DRAM, което представлява по-ефективно решение за компактните устройства, които се използват за графична обработка.

Samsung постепенно ще увеличи производството на HBM2 DRAM модулите през 2016 година, за да отговори на растящите нужди на мрежовите системи и сървъри. С това компанията се опитва да запази лидерската си позиция на пазара и да увеличи водещия си пазарен дял при производството на първокласни решения за памет.

Прочетете още: Samsung е оправила проблемите с S-Pen в новите Galaxy Note 5