Създадоха памет с размери 9 нанометра

Тайванските учени направиха пробив в разработка на микрочипове, създавайки памет от типа RRAM (resistive random access memory) с размери от едва 9 нанометра. В нея може да се побира 20 пъти повече информация в сравнение с картите, използвани от повечето фотоапарати. Технологията позволява на 1 квадратен сантиметър да се запишат 500 GB данни, но е възможно обемът на паметта да бъде увеличен и до 1.5 TB. Освен това за работата на новата микросхема е необходима 200 пъти по-малко енергия в сравнение с други подобни устройства.

Новата памет ще се появи в продажба след 5-10 години.