Пентагонът тества върху хора импланти, стимулиращи паметта

Американски учени от университета Южна Калифорния и Пенсилванския университет започнаха работа по поръчка на DAPRA над създаването на импланти, стимулиращи дългосрочната памет.

Проектът на DAPRA стартира още през февруари 2014 година, като в момента са получени първите резултати - учените са заявили, че успешно са имитирали сигналите, превръщащи краткосрочната памет в дългосрочна. Традиционно се смяташе, че за превеждането на кратковременната памет в дългосрочна отговаря хипокампусът, който е отговорен и за формиране не само на краткосрочната памет, но и за възприятията на човека за време и пространство.

Изследователите са установили, че в процеса на обединяване на паметта възниква сигнал, идващ от определени участъци на хипокампуса. Имитацията на тези сигнали позволява, както предполагат учените, ефективно да бъде симулирана дългосрочната памет. За да докажат това, те са организирали експеримент с участието на 12 доброволци, страдащи от епилепсия, върху които са поставени електроди за записване на енцефалограмите на мозъка и симулациите на отделните му зони. В началото на участниците в теста са пускани изображения, които след няколко минути е трябвало да си ги спомнят и възпроизведат. По време на експеримента учените са записвали сигналите между двата участъка на хипокампуса - CA3  и CA1, като въз основа на получените резултати са направили алгоритъм, способен да предполага какъв сигнал би трябвало да премине от CA3 в активната зона на CA1. В 80% от случаите той е бил предугаден с точност, като изследователите считат, че благодарение на този алгоритъм ще могат да симулират CA1 и да консолидират паметта дори ако клетките на участъка CA3 са силно увредени. В резултат на изследването се планира скорошното конструиране на първия прототип на имплант, стимулиращ зоната на хипокампуса, отговорна за обединяването на двата вида памет.