Първите в света 22-нанометрови памети

Компаниите IBM, AMD, Freescale и Toshiba, в сътрудничество с американския Колеж за наноизследвания и инженеринг, съобщиха, че са разработени най-компактните в света модули памет с формат SRAM (static random access memory).

Едновременно с това компаниите обявиха, че при създаването на модулите за първи път са използвали 22-нанометров технологичен процес на производство.

Според информация на пресслужбата на IBM 22-нанометровите модули са създадени в лабораториите на компанията в Ню Йорк, на базата на използваните в момента 300-милиметрови силициеви подложки.
От корпорацията уточняват, че новите модули не са прототипи, а реално работещи образци, съобщава електронното издание CyberSecurity.

22-нанометровите чипове с памет имат производителност, достатъчна за използване в сложни електронни устройства, например в микропроцесори.
Една базова клетка от 22-нанометрова памет се състои от 6 нанотранзистора, всеки от които е 80 000 пъти по-тънък от човешки косъм.

В момента основна в микроелектрониката е 45-нанометровата технология. През 2010 година производителите смятат да преминат масово към 32-нанометров процес и едва тогава към 22-нанометрови чипове.

От IBM уточняват, че в основата на новите чипове SRAM са транзистори, създадени по патентованата технология high-K metal gate, която се използва и при 32-нанометровите чипове.
Правило е, че плътността на чиповете SRAM се увеличава за сметка на намаляване на размерите на базовите им елементи клетките.
В случая с новите умалени клетки получихме не само намаляване на чиповете, но и ново, по-плътно разпределение, коментират от компютърния гигант.

В създаването на модулите е използван и нов литографски метод, който е изчислен за използване при 300-милиметрови подложки, но със значително по-плътно разположени триизмерни клетки.