Учени от Калифорнийския университет създадоха графенов транзистор с 1-нанометров гейт

Досега се смяташе, че полупроводници, произведени под прага от 5-нанометра, няма да работят, пишат от Университета на Калифорния в Бъркли. През последните години обаче това твърдение изглежда нестабилно, а сега то беше и напълно опровергано благодарение на откритията, направени от учените в Калифорнийския университет в Бъркли и благодарение на „магическите“ въглеродни нанотръби (графена).

Али Джави, Джеф Бокор, Ченминг Ху, Муун Ким и Филип Уонг са създали един транзистор с 1-нанометров гейт. На теория това може да свие теглото и размерите на нашата електроника още повече. За сравнение настоящите силициеви транзистори имат 20-нанометрови гейтове.

Трябва да отбележим, че графенът не е единственият материал, влязъл в употреба тук. Изследователите са използвали молибден дисулфид (MoS2), за да постигнат този резултат.

Важно е да отбележим, че докато това е огромно постижение, то не е точно първият опит. През 2008 г. изследователи от Университета на Манчестър използват графен, за да създадат 1 nm транзистор, съдържащ само няколко въглеродни пръстена. А през 2006 г. корейски учени използват FinFET, за да създадат 3 nm транзистор.

Прочетете и това: В Полша изградиха соларна велоалея, която свети в синьо през нощта